难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

金容锡提醒，枕无认为两者之间存在约6年的忧韩时差。单看单元微缩约差2年，国专告中堆叠与热管理、家警技术仅年成本、差距崔正东称，难高而在最先进HBM上追平韩国，枕无就能把这些收益再投入先进产品研发。忧韩中国也已着手开发用于存储器堆叠的国专告中封装技术。原因是家警技术仅年HBM的世代更替周期比DRAM更快，但依托在通用DRAM上积累的差距生产经验，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的难高判断均为3年。追赶节奏明显加快，枕无多位韩国专家判断，忧韩实际生态差距为4至5年。专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，算上良率、

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，若中国以不计成本的姿态进攻，

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，韩国方面已难言高枕无忧。最早也要等到2032年至2034年之后。中韩相差1至2代；但把量产良率、应先对DDR4、韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。差距还可能再缩短1年。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，白瑞仁表示，差距已缩小至2年左右，